ITパスポートの過去問
平成29年度 秋期
テクノロジ系 問67
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問題
平成29年度 秋期 ITパスポート試験 テクノロジ系 問67 (訂正依頼・報告はこちら)
フラッシュメモリの説明として、適切なものはどれか。
- 紫外線を利用してデータを消去し、書き換えることができるメモリである。
- データ読出し速度が速いメモリで、CPUと主記憶の性能差を埋めるキャッシュメモリによく使われる。
- 電気的に書換え可能な、不揮発性のメモリである。
- リフレッシュ動作が必要なメモリで、主記憶によく使われる。
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この過去問の解説 (3件)
01
フラッシュメモリは電気的にデータを消去するため誤りです。
尚、紫外線を利用してデータを消去するメモリを
UV-EPROM(UltraViolet-EPROM)と呼びます。
2.不正解です。
フラッシュメモリはSDカードやUSBメモリに利用されます。
キャッシュメモリに利用されるメモリをSRAM(Static RAM)と呼びます。
3.正解です。
フラッシュメモリは不揮発性であり、電気的にデータを消去、書き込みをします。
尚、不揮発性とは電源を切っても記録したデータが消えない性質のことです。
4.不正解です。
リフレッシュが必要で、主記憶に利用されるメモリはDRAM(Dynamic RAM)です。
フラッシュメモリではないため誤りです。
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02
コンピュータの外部記憶装置に用いられることが多いです。
1.紫外線を利用してデータを消去し、書き換えることができるメモリは、UV-EPROMです。
フラッシュメモリではないため、誤りです。
2.データ読出し速度が速いメモリで、CPUと主記憶の性能差を埋めるのはキャッシュメモリです。
フラッシュメモリはデータの読み出し速度が速くないため、誤りです。
3.電気的に書換え可能な、不揮発性のメモリはフラッシュメモリです。
よって、正解です。
4.リフレッシュ動作が必要なメモリで、主記憶によく使われるのは、DRAMです。
フラッシュメモリは外部記憶装置に使われるため、誤りです。
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03
何度も読み書きが可能なことと、電源を切ってもデータが残るという特徴があります。
1.UV-EPROMの説明ですので、誤りです。
2.SRAM(Static Random Access Memory)の説明ですので、誤りです。
3.フラッシュメモリの説明ですので、正解です。
4.DRAM(Dynamic Random Access Memory)の説明ですので、誤りです。
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