問題
このページは問題閲覧ページです。正解率や解答履歴を残すには、 「条件を設定して出題する」をご利用ください。
[ 設定等 ]
図1は、固定バイアス回路を用いたエミッタ接地トランジスタ増幅回路である。図2は、トランジスタの五つのベース電流IBに対するコレクターエミッタ間電圧VCEとコレクタ電流ICとの静特性を示している。このVCE − IC特性と直流負荷線との交点を動作点という。図1の回路の直流負荷線は図2のように与えられる。
動作点がVCE = 4.5Vのとき、バイアス抵抗RBの値[MΩ]として最も近いものを次の 1 ～ 5 のうちから一つ選べ。
ただし、ベース－エミッタ間電圧VBEは直流電源電圧VCCに比べて十分小さく無視できるものとする。なお、RLは負荷抵抗であり、C1、C2は結合コンデンサである。
動作点がVCE = 4.5Vのとき、バイアス抵抗RBの値[MΩ]として最も近いものを次の 1 ～ 5 のうちから一つ選べ。
ただし、ベース－エミッタ間電圧VBEは直流電源電圧VCCに比べて十分小さく無視できるものとする。なお、RLは負荷抵抗であり、C1、C2は結合コンデンサである。
1 .
0.5
2 .
1.0
3 .
1.5
4 .
3.0
5 .
6.0
（ 第三種 電気主任技術者試験 平成29年度（2017年） 理論 問13 ）
