第三種電気主任技術者の過去問
令和5年度（2023年）下期
理論 問18（a）

図1は、飽和領域で動作する接合形FETを用いた増幅回路を示し、図中のv_i並びにv_oはそれぞれ、入力と出力の小信号交流電圧［V］を表す。
また、図2は、その増幅回路で使用するFETのゲート−ソース間電圧V_gs［V］に対するドレーン電流I_d［mA］の特性を示している。
抵抗R_G＝1MΩ、R_D＝5kΩ、R_L＝2.5kΩ、直流電源電圧V_DD＝20Vとするとき、次の問に答えよ。

FETの動作点が図2の点Pとなる抵抗R_Sの値［kΩ］として、最も近いものを次の（1）～（5）のうちから一つ選べ。