第三種電気主任技術者の過去問
令和5年度（2023年）下期
理論 問18（b）

図1は、飽和領域で動作する接合形FETを用いた増幅回路を示し、図中のv_i並びにv_oはそれぞれ、入力と出力の小信号交流電圧［V］を表す。
また、図2は、その増幅回路で使用するFETのゲート−ソース間電圧V_gs［V］に対するドレーン電流I_d［mA］の特性を示している。
抵抗R_G＝1MΩ、R_D＝5kΩ、R_L＝2.5kΩ、直流電源電圧V_DD＝20Vとするとき、次の問に答えよ。

図2の特性曲線の点Pにおける接線の傾きを読むことで、FETの相互コンダクタンスがg_m＝6mSであるとわかる。この値を用いて、増幅回路の小信号交流等価回路をかくと図3となる。ここで、コンデンサC₁、C₂、C_Sのインピーダンスが使用する周波数で十分に小さいときを考えており、FETの出力インピーダンスがR_D［kΩ］やR_L［kΩ］より十分大きいとしている。