第三種電気主任技術者の過去問
令和5年度(2023年)下期
理論 問18(b)
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問題
第三種 電気主任技術者試験 令和5年度(2023年)下期 理論 問18(b) (訂正依頼・報告はこちら)
図1は、飽和領域で動作する接合形FETを用いた増幅回路を示し、図中のvi並びにvoはそれぞれ、入力と出力の小信号交流電圧[V]を表す。
また、図2は、その増幅回路で使用するFETのゲート−ソース間電圧Vgs[V]に対するドレーン電流Id[mA]の特性を示している。
抵抗RG=1MΩ、RD=5kΩ、RL=2.5kΩ、直流電源電圧VDD=20Vとするとき、次の問に答えよ。
図2の特性曲線の点Pにおける接線の傾きを読むことで、FETの相互コンダクタンスがgm=6mSであるとわかる。この値を用いて、増幅回路の小信号交流等価回路をかくと図3となる。ここで、コンデンサC1、C2、CSのインピーダンスが使用する周波数で十分に小さいときを考えており、FETの出力インピーダンスがRD[kΩ]やRL[kΩ]より十分大きいとしている。
また、図2は、その増幅回路で使用するFETのゲート−ソース間電圧Vgs[V]に対するドレーン電流Id[mA]の特性を示している。
抵抗RG=1MΩ、RD=5kΩ、RL=2.5kΩ、直流電源電圧VDD=20Vとするとき、次の問に答えよ。
図2の特性曲線の点Pにおける接線の傾きを読むことで、FETの相互コンダクタンスがgm=6mSであるとわかる。この値を用いて、増幅回路の小信号交流等価回路をかくと図3となる。ここで、コンデンサC1、C2、CSのインピーダンスが使用する周波数で十分に小さいときを考えており、FETの出力インピーダンスがRD[kΩ]やRL[kΩ]より十分大きいとしている。
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正解!素晴らしいです
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