第三種電気主任技術者の過去問
平成28年度（2016年）
理論 問11
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問題
第三種 電気主任技術者試験 平成28年度（2016年） 理論 問11 （訂正依頼・報告はこちら）
半導体に関する記述として、誤っているものを次の（ 1 ）～（ 5 ）のうちから一つ選べ。
- 極めて高い純度に精製されたシリコン（Si）の真性半導体に、価電子の数が3個の原子、例えばホウ素（B）を加えるとp形半導体になる。
- 真性半導体に外部から熱を与えると、その抵抗率は温度の上昇とともに増加する。
- n形半導体のキャリアは正孔より自由電子の方が多い。
- 不純物半導体の導電率は金属よりも小さいが、真性半導体よりも大きい。
- 真性半導体に外部から熱や光などのエネルギーを加えると電流が流れ、その向きは正孔の移動する向きと同じである。
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この過去問の解説 （2件）
01
真性半導体に外部から熱を与えると、その抵抗率は温度の上昇とともに「低下」します。
（１）
半導体に関する正しい記述です。
（２）
上記の通り、誤った記述です。
（３）
n型半導体に関する、正しい記述です。
（４）
半導体に関する、正しい記述です。
（５）
外部エネルギーによる正孔の動きに関する、正しい記述です。
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02
真性半導体は熱によって抵抗率が減少します。
そのため、「温度の上昇とともに抵抗率が上昇する」
は、逆のことを言っているので、2が誤りです。
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