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第三種電気主任技術者の過去問 平成28年度(2016年) 理論 問11

問題

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半導体に関する記述として、誤っているものを次の( 1 )~( 5 )のうちから一つ選べ。
   1 .
極めて高い純度に精製されたシリコン(Si)の真性半導体に、価電子の数が3個の原子、例えばホウ素(B)を加えるとp形半導体になる。
   2 .
真性半導体に外部から熱を与えると、その抵抗率は温度の上昇とともに増加する。
   3 .
n形半導体のキャリアは正孔より自由電子の方が多い。
   4 .
不純物半導体の導電率は金属よりも小さいが、真性半導体よりも大きい。
   5 .
真性半導体に外部から熱や光などのエネルギーを加えると電流が流れ、その向きは正孔の移動する向きと同じである。
( 第三種 電気主任技術者試験 平成28年度(2016年) 理論 問11 )
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この過去問の解説 (2件)

3
誤っている記述は、2番です。


真性半導体に外部から熱を与えると、その抵抗率は温度の上昇とともに「低下」します。


(1)
半導体に関する正しい記述です。


(2)
上記の通り、誤った記述です。


(3)
n型半導体に関する、正しい記述です。


(4)
半導体に関する、正しい記述です。


(5)
外部エネルギーによる正孔の動きに関する、正しい記述です。

付箋メモを残すことが出来ます。
-2
真性半導体とは、不純物を含まない純粋なものをいいます。

真性半導体は熱によって抵抗率が減少します。
そのため、「温度の上昇とともに抵抗率が上昇する」
は、逆のことを言っているので、2が誤りです。

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