問題
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図1に示す降圧チョッパの回路は、電圧Eの直流電源、スイッチングする半導体バルブデバイスS、ダイオードD、リアクトルL、及び抵抗Rの負荷から構成されている。また、図2には、図1の回路に示すダイオードDの電圧νD負荷の電流iRの波形を示す。次の問に答えよ。
電圧Eが100V、降圧チョッパの通流率が50%、負前抵抗Rが2Ωとする。デバイスSは周期Tの高周波でスイッチングし、リアクトルLの平滑作用により、図2に示す電流iRのリプル成分は十分小さいとする。電流iRの平均値IR[A]として、最も近いものを次の( 1 )~( 5 )のうちから一つ選べ。
電圧Eが100V、降圧チョッパの通流率が50%、負前抵抗Rが2Ωとする。デバイスSは周期Tの高周波でスイッチングし、リアクトルLの平滑作用により、図2に示す電流iRのリプル成分は十分小さいとする。電流iRの平均値IR[A]として、最も近いものを次の( 1 )~( 5 )のうちから一つ選べ。
1 .
17.7
2 .
25
3 .
35.4
4 .
50.1
5 .
70.7
( 第三種 電気主任技術者試験 平成30年度(2018年) 機械 問60 )