問題
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次の文章は、電界効果トランジスタ(FET)に関する記述である。
図は、nチャネル接合形FETの断面を示した模式図である。ドレーン(D)電極に電圧VDSを加え、ソース(S)電極を接地すると、nチャネルの( ア )キャリヤが移動してドレーン電流IDが流れる。ゲート(G)電極に逆方向電圧VGSを加えると、pn接合付近に空乏層が形成されてnチャネルの幅が( イ )し、ドレーン電流IDが( ウ )する。このことからFETは( エ )制御形の素子である。
上記の記述中の空白箇所(ア)~(エ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。
図は、nチャネル接合形FETの断面を示した模式図である。ドレーン(D)電極に電圧VDSを加え、ソース(S)電極を接地すると、nチャネルの( ア )キャリヤが移動してドレーン電流IDが流れる。ゲート(G)電極に逆方向電圧VGSを加えると、pn接合付近に空乏層が形成されてnチャネルの幅が( イ )し、ドレーン電流IDが( ウ )する。このことからFETは( エ )制御形の素子である。
上記の記述中の空白箇所(ア)~(エ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。
1 .
ア:少数 イ:減少 ウ:増加 エ:電流
2 .
ア:少数 イ:増加 ウ:増加 エ:電流
3 .
ア:多数 イ:増加 ウ:減少 エ:電圧
4 .
ア:多数 イ:減少 ウ:減少 エ:電流
5 .
ア:多数 イ:減少 ウ:減少 エ:電圧
( 第三種 電気主任技術者試験 令和4年度(2022年)上期 理論 問11 )