第三種電気主任技術者の過去問
令和5年度（2023年）下期
機械 問10

問題文の通りです。

サイリスタは、オンのゲート電流が与えられて順方向の電流が流れている状態であれば、

その後にゲート電流を取り去っても順方向の電流は流れている状態となります。

しかし、ここで逆方向電圧をかけるとサイリスタはオフとなってしまいます。

サイリスタがオフになっているということは、電流は流れません。

従って、この選択肢が誤りとなります。

問題文の通りです。

問題文の通りです。

問題文の通りです。

ダイオードの特徴として順方向にしか電流が流せません。この状態を導通状態と呼び、逆方向から電圧かけると電流はほぼ流れないので、この状態を非導通状態と言います。なのでこの記述は正しいです。

サイリスタはpn接合形の4層構造3端子からなるバルブデバイスです。ダイオード同様順方向に電圧をかけると電流が流れますが、サイリスタはゲート信号に電流を与えた上で、オンとなり順方向に電流が流れます。導通状態でゲート電流が流れなくなったらサイリスタはオフとなり、順方向や逆方向からも電流は流れません。なのでこの記述は誤りとなります。

パワーMOSFETは電圧駆動型のデバイスでゲートに正の電圧を加えると動作します。ドレイン-ソース間にボディーダイオードが内蔵されているのでゲート電圧が与えられなくても、パワーMOSFETに逆電圧が印加されれば逆方向の電流が流れます。なのでこの記述は正しいです。

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は電圧駆動形のデバイスでMOSFETとバイポーラトランジスタを組み合わせた構造となります。バイポーラトランジスタはベース電流が流れている間はオンとなり導通状態となります。その状態からベース電流が流れなくなるとオフとなり非導通となります。よってゲート電圧を取り去ると非導通となるのでこの記述は正しいです。

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は電圧駆動形のデバイスでMOSFETとバイポーラトランジスタを組み合わせた構造となります。IGBTにはトランジスタが内蔵されており、逆並列ダイオードを組み合わせる事によって流れる電流の向きが対称となります。なのでIGBTにとって逆方向の電圧が印加されると、IGBTのゲート状態にかかわらずIGBTにとって逆方向の電流が逆並列ダイオードに流れます。よってこの記述は正しいです。