過去問.com - 資格試験の過去問 | 予想問題の解説つき無料問題集

第三種電気主任技術者の過去問 令和4年度(2022年)上期 理論 問18(2)

問題

このページは問題閲覧ページです。正解率や解答履歴を残すには、 「条件を設定して出題する」をご利用ください。
[ 設定等 ]
図1、図2及び図3は、トランジスタ増幅器のバイアス回路を示す。次の問に答えよ。
ただし、VCCは電源電圧、VBはベース電圧、IBはベース電流、ICはコレクタ電流、IEはエミッタ電流、R,RB,RC及びREは抵抗を示す。

次の文章a、b及びcは、それぞれのバイアス回路における周囲温度の変化と電流ICとの関係について述べたものである。
ただし、hFEは直流電流増幅率を表す。

a  温度上昇によりhFEが増加するとICが増加し、バイアス安定度が悪いバイアス回路の図は( ア )である。
b  hFEの変化によりICが増加しようとすると、VBはほぼ一定であるからVBEが減少するので、ICやIEの増加を妨げるように働く。ICの変化の割合が比較的低く、バイアス安定度が良いものの、電力損失が大きいバイアス回路の図は( イ )である。
c  hFEの変化によりICが増加しようとすると、RCの電圧降下も増加することでコレクタ・エミッタ間の電圧VCEが低下する。これによりRの電圧が減少してIBが減少するので、ICの増加が抑えられるバイアス回路の図は( ウ )である。

上記の記述中の空白箇所(ア)~(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。
問題文の画像
   1 .
ア:図1  イ:図2  ウ:図3
   2 .
ア:図2  イ:図3  ウ:図1
   3 .
ア:図3  イ:図1  ウ:図2
   4 .
ア:図1  イ:図3  ウ:図2
   5 .
ア:図2  イ:図1  ウ:図3
( 第三種 電気主任技術者試験 令和4年度(2022年)上期 理論 問18(2) )
このページは問題閲覧ページの為、解答履歴が残りません。
解答履歴を残すには、
条件を設定して出題する」をご利用ください。

この過去問の解説 (3件)

1

トランジスタ増幅器のバイアス回路に関する穴埋め問題です。

選択肢4. ア:図1  イ:図3  ウ:図2

(ア) 図1

この回路は固定バイアス回路です。

温度上昇によりhFEが増加すると、ICが増加しバイアス安定度が悪くなるという特性があります。

(イ) 図3

この回路は電流帰還バイアス回路です。

ICの変化の割合が比較的小さく、バイアス安定が良いが、RBに流す電流の分だけ電力損失が大きいという特性があります。

(ウ) 図2

この回路は自己バイアス回路です。

温度上昇によりhFEが増加しても、ICの上昇を抑えられるという特性があります。

付箋メモを残すことが出来ます。
1

a  hFEが増加するとICが上がり、バイアス安定度が悪くなるのは【図1】です。

最も単純な回路ですが、hFEによって大きく変動してしまうのが特徴です。

b  hFEの変化によりICが増加するとVBEが減少するのは【図3】です。

バイアスの安定度が良いが、電力損失が大きいのが特徴です。

c  hFEの変化によりICが増加しようとすると、RCの電圧降下も増加することでコレクタ・エミッタ間の電圧VCEが低下し、これによりRの電圧が減少してIBが減少するので、ICの増加が抑えられるバイアス回路の図は【図2】です。

hFEが変動しても、IBが自発的に変わることで安定性を維持できます。

したがって、「ア:図1  イ:図3  ウ:図2」が正解です。

選択肢4. ア:図1  イ:図3  ウ:図2

こちらが正しいです。

0

理論 R4上 問18b

・バイポーラトランジスタのバイアス回路は三つあります。

固定バイアス回路(図1)

 バイアスの安定度が悪い

  トランジスタ温度上昇→hFEが増加→ICが増加→出力信号がひずむ

自己バイアス回路(図2)

 固定バイアス回路を改善したもの

  トランジスタ温度上昇→hFEが増加→ICが増加→IBが減少→ICが減少

電流帰還バイアス回路(図3)

 バイアスの安定度が良い、電力損失が大きい

   トランジスタ温度上昇→hFEが増加→ICが増加→IEが増加→

     エミッタ電位が上昇→電圧VBEが減少→IBが減少→ICが減少

・文章と一致しているものを探します。

(ア)温度上昇によりhFEが増加するとICが増加し、バイアス安定度が悪いバイアス回路

  固定バイアス回路(図1)

(イ)hFEの変化によりICが増加しようとすると、VBはほぼ一定であるからVBEが減少するので、ICやIEの増加を妨げるように働く。ICの変化の割合が比較的低く、バイアス安定度が良いものの、電力損失が大きいバイアス回路

  電流帰還バイアス回路(図3)

(ウ)hFEの変化によりICが増加しようとすると、RCの電圧降下も増加することでコレクタ・エミッタ間の電圧VCEが低下する。これによりRの電圧が減少してIBが減少するので、ICの増加が抑えられるバイアス回路

  自己バイアス回路(図2)

選択肢4. ア:図1  イ:図3  ウ:図2

こちらが正答です。

問題に解答すると、解説が表示されます。
解説が空白の場合は、広告ブロック機能を無効にしてください。
他のページから戻ってきた時、過去問ドットコムはいつでも続きから始めることが出来ます。
また、広告右上の×ボタンを押すと広告の設定が変更できます。
この第三種電気主任技術者 過去問のURLは  です。
付箋は自分だけが見れます(非公開です)。