問題
ただし、VCCは電源電圧、VBはベース電圧、IBはベース電流、ICはコレクタ電流、IEはエミッタ電流、R,RB,RC及びREは抵抗を示す。
次の文章a、b及びcは、それぞれのバイアス回路における周囲温度の変化と電流ICとの関係について述べたものである。
ただし、hFEは直流電流増幅率を表す。
a 温度上昇によりhFEが増加するとICが増加し、バイアス安定度が悪いバイアス回路の図は( ア )である。
b hFEの変化によりICが増加しようとすると、VBはほぼ一定であるからVBEが減少するので、ICやIEの増加を妨げるように働く。ICの変化の割合が比較的低く、バイアス安定度が良いものの、電力損失が大きいバイアス回路の図は( イ )である。
c hFEの変化によりICが増加しようとすると、RCの電圧降下も増加することでコレクタ・エミッタ間の電圧VCEが低下する。これによりRの電圧が減少してIBが減少するので、ICの増加が抑えられるバイアス回路の図は( ウ )である。
上記の記述中の空白箇所(ア)~(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。