第三種電気主任技術者の過去問
令和5年度(2023年)下期
理論 問11
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問題
第三種 電気主任技術者試験 令和5年度(2023年)下期 理論 問11 (訂正依頼・報告はこちら)
FETは、半導体の中を移動する多数キャリアを( ア )電圧により生じる電界によって制御する素子であり、接合形と( イ )形がある。次の図記号は接合形の( ウ )チャネルFETを示す。
上記の記述中の空白箇所(ア)〜(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。
上記の記述中の空白箇所(ア)〜(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。
- ア:ゲート イ:MOS ウ:n
- ア:ドレイン イ:MSI ウ:p
- ア:ソース イ:DIP ウ:n
- ア:ドレイン イ:MOS ウ:p
- ア:ゲート イ:DIP ウ:n
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この過去問の解説 (1件)
01
(ア): 「多数キャリアを制御する電圧」は「ゲート電圧」によって生じるため、アには「ゲート」が適切です。
(イ): 接合形は一般に「MOS」ではなく「接合形(JFET)」と呼ばれますが、選択肢の中では「MOS」が最も近い表現です。
(ウ): 接合形のFETにはnチャネルとpチャネルがあります。問題文の記述には特定のタイプが明記されていないため、ここでは「n」を選びます。
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