第三種電気主任技術者の過去問
令和6年度(2024年)上期
理論 問11
このページは閲覧用ページです。
履歴を残すには、 「新しく出題する(ここをクリック)」 をご利用ください。
問題
第三種 電気主任技術者試験 令和6年度(2024年)上期 理論 問11 (訂正依頼・報告はこちら)
バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として、誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。
- バイポーラトランジスタは、消費電力がFETより大きい。
- バイポーラトランジスタは、静電気に対してFETより破壊されにくい。
- バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは、FETのそれよりも低い。
- バイポーラトランジスタは電圧制御素子、FETは電流制御素子といわれる。
- バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し、FETのドレーン電流は自由電子又は正孔のどちらかが関与する。
正解!素晴らしいです
残念...
この過去問の解説
前の問題(問10)へ
令和6年度(2024年)上期問題一覧
次の問題(問12)へ